SS8050 1.5A TO-92 编带
SS8550 1.5A TO-92 编带
78L05 TO-92 铜脚 编带
2SD1664 SOT89
2SB1132 SOT23
1N5819 S4 SOD123
1N5819 S4 SOD323
1N4148 T4 SOD123
1N4148 T4 SID323
1N4007 M7 DO214AC
IN5819 SS14 DO214AC
FR107 RS1M DO214AC
1N5822 SS34 DO214AC
SR240 SS24 DO214AC
6206 3.3V 662K SOT23
6206 3VO 65Z5 SOT23
6206 2.8V 65X6 SOT23
6206 1.8V 65K5 SOT23
B772 SOT89 3A
D882 SOT89 3A
MCR100-6 SOT23,MCR100-8 TO92,MCR100-6 CU TO92,MCR100-8 CU TO92,MAC97A6 TO92,XW6822 TO92,BAT54C KL3,BAT54S KL4,8550 2TY,8050 J3Y,S9012 2T1,S9013 J3,S9014 J6,1623 L6,9018 J8,SS8050 Y1,SS8550 Y2,5N120B
MCR100-6 SOT23 1200000PCS
TGL40N120--韩国TRINNO特力诺单管IGBT
规格型号：TGL40N120 （韩国特力诺TRINNO-单管IGBT）
品 牌：韩国特力诺TRINNO（LG集团旗下IGBT芯片研发生产厂商）
技术特性：高频快速型
应用范围：逆变焊机；变频器；UPS不间断电源，感应加热
产品特点：TGL40N120可以完美替代ON安森美 仙童FGL40N120AND，成本下降10%以上。
工作电压：Vceo≤1200（V）
工作电流：Ic≤40A; (Tc=80℃;Continuous)
极限电流：Icm≤120A（(Tc=100℃；tp=1ms）
耗散功率：Pcm≤192W(Tc=100℃)
饱和压降：Vce(sat) ≤2.45V( TC=125℃)
截止频率：Ft≤60-80KHz（MHz）
IGBT热阻： RΘjc=0.26℃/W （Junction-to-Case）
DIODE热阻：RΘjc=0.95℃/W （Junction-to-Case）
管体热阻：RΘjc=25℃/W （Junction-to-Ambient）
工作/保管壳温：Tj=-55～150℃
封装形式：TO-264
SOT-523、SOT-323、SOT-23、SOT-153、SOT-353、SOT-163、SOT-363、SOD-523、SOD-323、SOD-123、SOT-89、SOT-223、SOT-252、SOT-263、TO-92、TO-92S、TO-92，TO-126、TO-220
